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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905624-036.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
41
读取速度,GB/s
2,909.8
12.3
写入速度,GB/s
1,519.2
7.9
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2021
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
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