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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
9.2
17.6
写入速度,GB/s
8.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3542
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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