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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
12.2
17.9
写入速度,GB/s
7.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
3336
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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