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Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
43
读取速度,GB/s
4,680.7
15.0
写入速度,GB/s
1,361.1
13.0
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2794
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu 16GB
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