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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
比较
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
总分
Corsair VS2GB1333D4 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS2GB1333D4 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
12.9
17.0
写入速度,GB/s
7.9
16.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1947
3784
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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