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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
比较
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
总分
Corsair VS2GB1333D4 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS2GB1333D4 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.9
17.7
写入速度,GB/s
7.9
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1947
3055
Corsair VS2GB1333D4 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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