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Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
比较
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
Corsair VS2GB1333D4 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS2GB1333D4 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
12.9
15.4
写入速度,GB/s
7.9
11.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1947
2320
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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