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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
4,246.9
16.7
写入速度,GB/s
1,839.1
12.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3106
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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