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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
4,246.9
16.8
写入速度,GB/s
1,839.1
12.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3046
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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