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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
4,246.9
17.4
写入速度,GB/s
1,839.1
13.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3398
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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