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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.1
15.4
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2370
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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