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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
17.4
写入速度,GB/s
12.0
13.7
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3208
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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