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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
4,246.9
17.7
写入速度,GB/s
1,839.1
15.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3772
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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