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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
69
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
39
读取速度,GB/s
4,217.2
13.2
写入速度,GB/s
1,857.7
9.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2489
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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