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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
4,246.9
15.8
写入速度,GB/s
1,839.1
11.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2824
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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