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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.9
19.3
写入速度,GB/s
8.5
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3914
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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