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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
19.2
写入速度,GB/s
1,519.2
12.8
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3180
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
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