RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3180
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link