RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3180
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link