RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
比较
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB vs Kingston 9905599-020.A00G 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
总分
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 -16% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
25
读取速度,GB/s
20.0
14.5
写入速度,GB/s
15.9
9.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3713
2515
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link