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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
AMD R744G2400U1S 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
34
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
22
读取速度,GB/s
16.2
16.7
写入速度,GB/s
9.7
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2862
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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