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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
31
读取速度,GB/s
16.2
19.2
写入速度,GB/s
9.7
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
3341
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
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