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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
17.1
写入速度,GB/s
8.2
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
3221
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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