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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
16
33
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
16
读取速度,GB/s
17.6
21.7
写入速度,GB/s
12.0
17.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3872
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Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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