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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
38
读取速度,GB/s
16.2
15.9
写入速度,GB/s
9.7
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2663
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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