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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
30
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
19
读取速度,GB/s
10.6
19.2
写入速度,GB/s
6.8
13.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3075
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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