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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
28
读取速度,GB/s
16.2
12.9
写入速度,GB/s
9.7
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
3152
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RAM 1
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
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Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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