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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
40
读取速度,GB/s
16.2
15.6
写入速度,GB/s
9.7
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2772
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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