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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
35
读取速度,GB/s
16.2
9.1
写入速度,GB/s
9.7
7.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2078
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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