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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
38
读取速度,GB/s
16.2
13.9
写入速度,GB/s
9.7
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2400
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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