RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,833.8
17.7
写入速度,GB/s
2,123.3
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3115
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link