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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
48
左右 29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
16.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
48
读取速度,GB/s
16.2
17.5
写入速度,GB/s
9.7
8.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2196
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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