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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

总分
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

总分
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 14.6
    测试中的平均数值
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB 需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 34
    左右 -26% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    34 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 14.6
  • 写入速度，GB/s
    9.7 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2636 left arrow 2890

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较

Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
内存RAM
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
内存RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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内存RAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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内存RAM