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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
23
读取速度,GB/s
16.2
17.1
写入速度,GB/s
9.7
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2922
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
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