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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
34
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
24
读取速度,GB/s
16.2
13.6
写入速度,GB/s
9.7
6.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
1764
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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