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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
16.9
17.6
写入速度,GB/s
12.0
15.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3705
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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