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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
29
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
19
读取速度,GB/s
16.9
20.4
写入速度,GB/s
12.0
17.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3855
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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