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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
25
读取速度,GB/s
16.9
18.2
写入速度,GB/s
12.0
13.9
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3061
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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