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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
21
读取速度,GB/s
16.9
18.0
写入速度,GB/s
12.0
13.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2769
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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