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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
34
读取速度,GB/s
16.9
14.9
写入速度,GB/s
12.0
12.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3206
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
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