RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3206
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link