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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
29
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
22
读取速度,GB/s
16.9
19.6
写入速度,GB/s
12.0
17.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3879
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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