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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston 9905598-006.A00G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
16.9
13.2
写入速度,GB/s
12.0
10.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2779
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
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