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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston 9905713-035.A00G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.9
15.6
写入速度,GB/s
12.0
8.7
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2496
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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