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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905713-035.A00G 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.8
15.6
写入速度,GB/s
7.3
8.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2496
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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