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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
75
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
75
读取速度,GB/s
16.9
14.6
写入速度,GB/s
12.0
6.9
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
1556
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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