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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.4
16.4
写入速度,GB/s
7.5
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2532
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
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