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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston KHX2666C15/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
39
读取速度,GB/s
16.9
14.9
写入速度,GB/s
12.0
10.1
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2519
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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