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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.1
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
35
读取速度,GB/s
16.9
16.7
写入速度,GB/s
12.0
15.1
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3191
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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