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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 -38% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
21
读取速度,GB/s
16.9
15.3
写入速度,GB/s
12.0
7.0
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2276
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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